В текущем году начнется массовое производство памяти DRAM объемом 128 ГБ на основе усовершенствованного интерфейса CXL 2.0, что ускорит коммерциализацию решений для памяти следующего поколения
Samsung продолжит сотрудничество с глобальными центрами обработки данных, а также производителями серверов и чипсетов для дальнейшего развития экосистемы СXL
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, анонсировала разработку первой в отрасли памяти DRAM объемом 128 гигабайт (ГБ) с поддержкой стандарта Compute Express Link™ (CXL™) 2.0. Новый продукт был разработан в тесном сотрудничестве с компанией Intel на базе платформы Intel® Xeon®.
Ожидается, что созданный на базе собственной первой в отрасли памяти DRAM с поддержкой CXL 1.1, представленной компанией Samsung в мае 2022 года, новый DRAM 128 ГБ на основе CXL 2.0 ускорит коммерциализацию решений памяти следующего поколения. Новая CXL DRAM поддерживает интерфейс PCle 5.0 (x8 линий) и обеспечивает пропускную способность до 35 ГБ в секунду.
«Являясь членом Совета директоров консорциума CXL, компания Samsung Electronics остается в авангарде технологий CXL, — заявил ЧангСок Чой (Jangseok Choi), вице-президент направления Планирования новых моделей (New Business Planning Team) в Samsung Electronics. — Эта новейшая революционная разработка подтверждает наше стремление к дальнейшему расширению экосистемы CXL благодаря партнерским отношениям с центрами обработки данных, производителями серверов и чипсетов во всех сегментах отрасли».
«Intel активно развивает сотрудничество с компанией Samsung в рамках ее инвестиций в экосистему CXL, — сказал Джим Паппас (Jim Pappas), директор по технологическим инициативам корпорации Intel. — Мы продолжим совместную работу с Samsung, чтобы способствовать росту и внедрению инновационных продуктов CXL во всей отрасли».
По словам Стивена Тая (Stephen Tai), президента Montage Technology, «компания Montage с нетерпением ожидает массового производства первых контроллеров с поддержкой CXL 2.0 и надеется на продолжение партнерства с Samsung для продвижения CXL и расширения ее экосистемы».
Впервые в истории CXL 2.0 поддерживает технологию объединения памяти — метод совместно используемой динамически распределяемой области памяти, при котором несколько блоков CXL объединяются в один на серверной платформе, после чего хост может динамически распределять память из пула по мере необходимости. Новая технология позволяет клиентам максимально повысить эффективность при одновременном снижении эксплуатационных расходов. Это, в свою очередь, помогает рефинансировать ресурсы в развитие серверной памяти.
Samsung планирует начать массовое производство модулей CXL 2.0 DRAM в конце этого года и готова предложить дополнительные варианты объема памяти для удовлетворения спроса на будущие вычислительные приложения.
CXL — интерфейс следующего поколения, повышающий эффективность ускорителей, памяти DRAM и устройств хранения данных, используемых совместно с центральными процессорами в высокопроизводительных серверных системах. С учетом того, что его пропускная способность и емкость могут быть расширены при использовании с основной DRAM, ожидается, что внедрение этой технологии произведет настоящий фурор на рынке вычислений следующего поколения, где ключевые технологии, такие как искусственный интеллект (ИИ) и машинное обучение (МО), привели к быстрому увеличению спроса на высокоскоростную обработку данных.
