Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой емкости

14

Samsung Electronics представляет микросхемы DRAM памяти самой высокой емкости

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства микросхем DRAM памяти самой высокой емкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка представляет собой первый в отрасли 12ГБ модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса. Обладая большей емкостью, чем память в большинстве ультратонких ноутбуков, новые микросхемы мобильной DRAM памяти позволят в полной мере реализовать все возможности смартфонов следующего поколения.

«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировала комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти емкостью 12ГБ и заканчивая 512ГБ накопителями eUFS 3.0», – говорит Севун Чунь (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. – «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстро растущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».

Благодаря 12ГБ мобильной DRAM памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые все чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать еще тоньше и изящнее.

Модули емкостью 12ГБ были получены благодаря объединению шести 16-гигабитных чипов LPDDR4X второго поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением емкости DRAM.

Дата Емкость Mobile DRAM
Февраль 2019 года 12ГБ 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Июль 2018 года 8ГБ 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
Апрель 2018 года 8ГБ (разработка) 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
2016 год 8ГБ 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
2015 год 6ГБ 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
Декабрь 2014 года 4ГБ 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
Сентябрь 2014 года 3ГБ 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Ноябрь 2013 года 3ГБ 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Июль 2013 года 3ГБ 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
Апрель 2013 года 2ГБ 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
2012 год 2ГБ 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 год 1/2ГБ 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 год 512МБ 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 год 256МБ 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

[Справочные данные] История производства мобильной DRAM памяти Samsung: Производство / массовое производство

С момента выпуска мобильной DRAM памяти емкостью 1ГБ в 2011 году Samsung увеличивает емкость запоминающих устройств, предлагая модули емкостью 6ГБ (в 2015 году) и 8 ГБ (в 2016 году). Теперь и первый в отрасли модуль LPDDR4X емкостью 12ГБ. Samsung намерена нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пьйонгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение второй половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM памяти емкостью 8ГБ и 12ГБ, выполненной по техпроцессу 1y-nm.




Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *