Новая eUFC 3.1 512 ГБ хранит видео 8K и большие изображения без буферизации
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 емкостью 512ГБ для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в три раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512ГБ. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов размером 256 ГБ и 128 ГБ.
Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объемом 512ГБ превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100ГБ данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более четырех минут.
Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512ГБ на 60% выше, чем у широко распространенных накопителей UFS 3.0, и составляет 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи.
В марте Samsung начала массовое производство V-NAND пятого поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре компания планирует также перевести производство V-NAND с пятого поколения на шестое для соответствия растущим потребностям производителей.
Линейка встроенной памяти Samsung
| Продукт | Последовательное чтение | Последовательная запись | Случайное чтение | Случайная запись |
| 512ГБ eUFS 3.1
(Март 2020) |
2100 МБ/c | 1200 МБ/c
(3X enhancement) |
100 000 IOPS
(1.6X enhancement) |
70 000 IOPS
(1.03X enhancement) |
| 512ГБ eUFS 3.0
(Февраль 2019) |
2100 МБ/c | 410 МБ/c | 63 000 IOPS | 68 000 IOPS |
| 1ТБ eUFS 2.1
(Январь 2019) |
1000 МБ/c | 260 МБ/c | 58 000 IOPS | 50 000 IOPS |
| 512ГБ eUFS 2.1
(Ноябрь 2017) |
860 МБ/c | 255 МБ/c | 42 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| Автомобильный UFS 2.1
(Сентябрь 2017) |
850 МБ/c | 150 МБ/c | 45 000 IOPS | 32 000 IOPS |
| 256ГБ UFS-карта
(Июль 2016) |
530 МБ/c | 170 МБ/c | 40 000 IOPS | 35 000 IOPS |
| 256ГБ eUFS 2.0
(Январь 2016) |
850 МБ/c | 260 МБ/c | 45 000 IOPS | 40 000 IOPS |
| 128ГБ eUFS 2.0
(Январь 2015) |
350 МБ/c | 150 МБ/c | 19 000 IOPS | 14 000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 МБ/c | 125 МБ/c | 11 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 МБ/c | 90 МБ/c | 7 000 IOPS | 13 000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 МБ/c | 50 МБ/c | 7 000 IOPS | 2 000 IOPS |
