Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов

13

Новая eUFC 3.1 512 ГБ хранит видео 8K и большие изображения без буферизации

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного универсального флэш-хранилища eUFS 3.1 емкостью 512ГБ для флагманских смартфонов. Скорость записи eUFS 3.1 составляет более 1 ГБ/c — в три раза выше, чем у памяти предыдущего поколения eUFS 3.0 на 512ГБ. В конце 2020 года Samsung также выпустит накопители для флагманских смартфонов размером 256 ГБ и 128 ГБ.

Samsung начинает массовое производство самой быстрой памяти для флагманских смартфонов

Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объемом 512ГБ превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100ГБ данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более четырех минут.

Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512ГБ на 60% выше, чем у широко распространенных накопителей UFS 3.0, и составляет 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи.

В марте Samsung начала массовое производство V-NAND пятого поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре компания планирует также перевести производство V-NAND с пятого поколения на шестое для соответствия растущим потребностям производителей.

Линейка встроенной памяти Samsung

Продукт Последовательное чтение Последовательная запись Случайное чтение Случайная запись
512ГБ eUFS 3.1

(Март 2020)

2100 МБ/c 1200 МБ/c

(3X enhancement)

100 000 IOPS

(1.6X enhancement)

70 000 IOPS

(1.03X enhancement)

512ГБ eUFS 3.0

(Февраль 2019)

2100 МБ/c 410 МБ/c 63 000 IOPS 68 000 IOPS
1ТБ eUFS 2.1

(Январь 2019)

1000 МБ/c 260 МБ/c 58 000 IOPS 50 000 IOPS
512ГБ eUFS 2.1

(Ноябрь 2017)

860 МБ/c 255 МБ/c 42 000 IOPS 40 000 IOPS
Автомобильный UFS 2.1

(Сентябрь 2017)

850 МБ/c 150 МБ/c 45 000 IOPS 32 000 IOPS
256ГБ UFS-карта

(Июль 2016)

530 МБ/c 170 МБ/c 40 000 IOPS 35 000 IOPS
256ГБ eUFS 2.0

(Январь 2016)

850 МБ/c 260 МБ/c 45 000 IOPS 40 000 IOPS
128ГБ eUFS 2.0

(Январь 2015)

350 МБ/c 150 МБ/c 19 000 IOPS 14 000 IOPS
eMMC 5.1 250 МБ/c 125 МБ/c 11 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 5.0 250 МБ/c  90 МБ/c  7 000 IOPS 13 000 IOPS
eMMC 4.5 140 МБ/c  50 МБ/c  7 000 IOPS  2 000 IOPS



Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *