Samsung представила 3D-память SSD V-NAND шестого поколения

15

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области современных технологий памяти, объявила о начале массового производства твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе 256-гигабитных V-NAND модулей шестого поколения из более чем 100 слоев трехбитных ячеек, которые будут поставляться глобальным производителям ПК. На создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, компания сократила производственный цикл на четыре месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.

V-NAND модули Samsung шестого поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество компании, которое выводит 3D-память на новый уровень.

Samsung представила 3D-память SSD V-NAND шестого поколения

Благодаря уникальной технологии «травления каналов» от Samsung, новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путем формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трехмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).

По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флеш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрила оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.

Благодаря оптимизированному дизайну решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоев, сочетая три ячейки шестого поколения без ущерба для производительности или надежности чипа.

Кроме того, для создания чипа плотностью 256 Гб нового поколения необходимо всего 670 млн сквозных каналов, по сравнению с 930 млн в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.

Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерена не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надежность имеет ключевое значение.

«Внедряя передовые технологии 3D-памяти в модели массового производства, мы можем представить линейки памяти, которые обладают значительно большими скоростью и энергопотреблением, — отметил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. — Благодаря сокращению цикла разработки продуктов V-NAND следующего поколения мы планируем активно расширять рынок наших высокоскоростных и высокопроизводительных решений на базе 512-гигабитных V-NAND».

В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит вывод на рынок 512-гигабитных трехбитных V-NAND SSD и eUFS во втором полугодии. Компания также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений шестого поколения на заводе в Пхёнтэке, Корея, начиная со следующего года.

Для справки: Временная шкала массового производства VNAND

Дата V-NAND
Июль 2013 1е поколение (24 слоя) 128Gb MLC V-NAND
Август 2013 1 е поколение 128Gb MLC V-NAND 960GB SSD
Август 2014 2 е поколение (32 слоя) 128Gb 3-бит V-NAND
Сентябрь 2014 2 е поколение V-NAND SSD
Август 2015 3 е поколение (48 слоев) 256Gb 3-бит V-NAND
Сентябрь 2015 3е поколение V-NAND SSD ‘850 EVO’, ‘950 PRO’
Декабрь 2016 4 е поколение (64 слоя) 256Gb 3-бит V-NAND
Январь 2017 4е поколение V-NAND SSD
Январь 2018 4 е поколение 512Gb V-NAND 30.72TB SAS SSD
Май 2018 5 е поколение (9x слоев) 256Gb 3-бит V-NAND
Июнь 2018 5 е поколение V-NAND SSD
Июнь 2019 6 е поколение (1xx слоев) 256Gb 3-бит V-NAND
Июль 2019 6 е поколение V-NAND SSD



Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *