Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти

12

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона. Вскоре владельцам смартфонов будет доступна память, сопоставимая с объемом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти для своих телефонов.

Следующее поколение смартфонов Samsung получит  1 ТБ встроенной памяти

«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

* Справка: Сравнение производительности памяти смартфонов:

Память Последовательная скорость записи Произвольная скорость записи Последовательная скорость чтения Произвольная скорость чтения
Samsung

1ТБ eUFS 2.1

(Январь 2019)

1000Мб/с 260Mб/с 58,000 IOPS 50,000 IOPS
Samsung

512ГБ eUFS 2.1 (Ноябрь 2017)

850Mб/с 255 Mб/с 42,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung

eUFS 2.1 для автомобилей

(Сентябрь. 2017)

850Mб/с 150 Mб/с 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Samsung

256ГБ UFS Card
(Июль2016)

530 Mб/с 170 Mб/с 40,000 IOPS 35,000 IOPS
Samsung

25ГБ eUFS 2.0
(Февраль 2016)

850 Mб/с 260 Mб/с 45,000 IOPS 40,000 IOPS
Samsung

128ГБ eUFS 2.0
(Январь 2015)

350 Mб/с 150 Mб/с 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250 Mб/с 125 Mб/с 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 25 Mб/с 90MB Mб/с 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140 Mб/с 50 Mб/с 7,000 IOPS 2,000 IOPS



Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *